跟雙極晶體管相比，一般認(rèn)為只需GS電壓高于一定值，MOS管驅(qū)動的導(dǎo)通就不需求電流。這很簡單做到，但咱們依然需求速度。

在MOS管驅(qū)動的結(jié)構(gòu)中，能夠看出GS和Gd之間存在寄生電容，MOS管驅(qū)動的驅(qū)動實際上是電容的充放電。為電容器充電需求電流，因為電容器在充電時可視為短路，因而瞬時電流會相對較大。在挑選/規(guī)劃MOS管驅(qū)動器時，首先要留意瞬時短路電流的巨細(xì)。

第二，應(yīng)該留意的是，關(guān)于一般用于高端驅(qū)動器的NMOS，在開啟時柵極電壓需求大于源極電壓。當(dāng)高端驅(qū)動的MOS管驅(qū)動接通時，源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，因而柵極電壓比VCC大4V或10V。如果你想在同一個體系中取得高于VCC的電壓，你需求一個特別的升壓電路。許多電機(jī)驅(qū)動器都集成了電荷泵。應(yīng)留意，應(yīng)挑選適當(dāng)?shù)耐獠侩娙萜鳎匀〉米銐虻亩搪冯娏鱽眚?qū)動MOS晶體管。

上述4V或10V是常用MOS管的導(dǎo)通電壓。當(dāng)然，在規(guī)劃中需求一定的余量。電壓越高，導(dǎo)通速度越快，導(dǎo)通電阻越小。目前，導(dǎo)通電壓較小的MOS管驅(qū)動應(yīng)用于不同的領(lǐng)域，但在12V轎車電子體系中，4V導(dǎo)通一般就足夠了。