在電路中，IGBT也是我們常用的電子元器件之一，那我們該如何檢測呢？下面我跟大家介紹一下檢測IGBT模塊的好壞的方法：

1、判斷極性首先將萬用表撥在 R×1K 。擋，用萬用表測量時(shí)，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極（ G ）。其余兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調(diào)換表筆后測量阻值較小。

在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（ C ) ：黑表筆接的為發(fā)射極（ E ）。

2 、判斷好壞將萬用表撥在 R×10KQ 檔，用黑表筆接 IGBT 的集電極（ C ) ，紅表筆接 IGBT 的發(fā)射極 ( E ) ，此時(shí)萬用表的指針在零位。用手指同時(shí)觸及一下柵極（ G ）和集電極（ C ) ，這時(shí)工 GBT 被觸發(fā)導(dǎo)通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，并能站們指示在某一位置。

然后再用手指同時(shí)觸及一下柵極（ G ）和發(fā)射極（ E ) ，這時(shí) IGBT 被阻斷，萬用表的指針 回零。此時(shí)即可判斷 IGBT 是好的。  　 

3 、注意事項(xiàng)任何指針式萬用表鈴可用于檢測 IGBT 。注意判斷IGBT 好壞時(shí)，一定要將萬用表撥在 R×IOK擋，因 R×IKQ 檔以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測好壞時(shí)不能使IGBT 導(dǎo)通，而無法判斷 IGBT 的好壞。此方法同樣也可以用護(hù)檢測功率場效應(yīng)晶體管 ( P 一 MOSFET ）的好壞。

IGBT模塊注意事項(xiàng)

由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一?！∫虼耸褂弥幸⒁庖韵聨c(diǎn)：

1. 在使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸;

2. 在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí)，在配線未接好之前請先不要接上模塊;

3. 盡量在底板良好接地的情況下操作。

在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓沒有超過柵極最大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會(huì)產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。

此外，在柵極—發(fā)射極間開路時(shí)，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。這時(shí)，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。

在安裝或更換IGBT模塊時(shí)，應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，最好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇，當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時(shí)將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱，而發(fā)生故障。

保存注意事項(xiàng)：

1. 一般保存IGBT模塊的場所，應(yīng)保持常溫常濕狀態(tài)，不應(yīng)偏離太大。常溫的規(guī)定為5～35℃ ，常濕的規(guī)定在45～75%左右。在冬天特別干燥的地區(qū)，需用加濕機(jī)加濕。

2. 盡量遠(yuǎn)離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合。

3. 在溫度發(fā)生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結(jié)露水的現(xiàn)象，因此IGBT模塊應(yīng)放在溫度變化較小的地方。

4. 保管時(shí)，須注意不要在IGBT模塊上堆放重物。

5. 裝IGBT模塊的容器，應(yīng)選用不帶靜電的容器。