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場效應和MOS管有什么區(qū)別呢?

2021-11-30 09:02:40  責任編輯:東莞市銳訊電子科技有限公司 0

一、主體不同


1、場效應:V型槽MOS場效應管。是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關器件。


2、MOS管:金屬-氧化物-半導體型場效應管屬于絕緣柵型。


二、特性不同


1、場效應:不僅繼承了MOS場效應管輸入阻抗高(≥108W)、驅動電流?。ㄗ笥?.1μA左右),還具有耐壓高(最高可耐壓1200V)、工作電流大(1.5A~100A)、輸出功率高(1~250W)、跨導的線性好、開關速度快等優(yōu)良特性。


2、MOS管:主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,因此具有很高的輸入電阻(最高可達1015Ω)。

三、規(guī)則不同


1、場效應:將電子管與功率晶體管之優(yōu)點集于一身,因此在電壓放大器(電壓放大倍數(shù)可達數(shù)千倍)、功率放大器、開關電源和逆變器中正獲得廣泛應用。


2、MOS管:當VGS=0時管子是呈截止狀態(tài),加上正確的VGS后,多數(shù)載流子被吸引到柵極,從而“增強”了該區(qū)域的載流子,形成導電溝道。