MOS管(場效應(yīng)管)的導(dǎo)通壓降下，導(dǎo)通電阻小，柵極驅(qū)動不需要電流，損耗小，驅(qū)動電路簡單，自帶保護(hù)二極管，熱阻特性好，適合大功率并聯(lián)，缺點開關(guān)速度不高，比較昂貴。

三極管開關(guān)速度高，大型三極管的Ic可以做的很大，缺點損耗大，基極驅(qū)動電流大，驅(qū)動復(fù)雜。場效應(yīng)管與三級管的比較：
1）場效應(yīng)管是電壓控制元件，而三級管是電流控制元件；
2）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱為單極性器件，而三級管既有多子，也有少子導(dǎo)電，稱之為雙極性器件

3）場效應(yīng)管靈活性比三級管好；
4）場效應(yīng)管的制造工藝更適合于集成電路。
MOSFET和雙極型三極管相類似，電極對應(yīng)關(guān)系是b?G、e?S、c?D；由FET組成的放大電路也和三極管放大電路相類似，三極管放大電路基極回路需要一個偏置電流(偏流)，而FET放大電路的場效應(yīng)管柵極沒有電流，所以，F(xiàn)ET放大電路的柵極回路需要一個合適的偏置電壓(偏壓)。FET組成的放大電路和三極管放大電路的主要區(qū)別在于：場效應(yīng)管是電壓控制型器件，靠柵源之間的電壓變化來控制漏極電流的變化，放大作用以跨導(dǎo)來體現(xiàn)；三極管是電流控制型器件，靠基極電流的變化來控制集電極電流的變化，放大作用由電流放大倍數(shù)來體現(xiàn)。
場效應(yīng)管放大電路分為共源、共漏、共柵極三種組態(tài)。在分析三種組態(tài)時，可與雙極型三極管的共射、共集、共基對照。